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厂商型号

2N5770_D26Z 

产品描述

Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R

内部编号

3-2N5770-D26Z

#1

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2N5770_D26Z产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 15V
频率转换 -
噪声系数(dB的典型@ F) 6dB @ 60MHz
增益 15dB
功率 - 最大 350mW
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 50 @ 8mA, 10V
- 集电极电流(Ic)(最大) 50mA
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
包装 3TO-92
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 15 V
集电极最大直流电流 0.05 A
最小直流电流增益 20@3mA@1V|50@8mA@10V
最大集电极发射极饱和电压 0.4@1mA@10mA V
最大集电极基极电压 30 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 350 mW
安装 Through Hole
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.05
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
输出功率 0.03(Min)
最低工作温度 -55
最大功率耗散 350
最大基地发射极电压 4.5
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极电压 15
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 50mA
噪声系数(dB典型值@频率) 6dB @ 60MHz
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 15V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 350mW
增益 15dB
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 50 @ 8mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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